規格后面的-G表示不含鹵素，簡稱“無鹵”
目前，業界Toshiba的光耦TLP181BL停產了？朋友們回過來問我們EVERLIGHT品牌的光耦可有替代料號，推薦EL357ND(TA)-G試產通過驗證，可以100%完全替代使用，其規格參數內容如上，具體說明如下：
光耦EL357N-G使用額定最大范圍
|
項目
|
符號
|
最大范圍
|
單位
|
|
輸入端
|
順向電流
|
IF
|
50
|
mA
|
|
峰值電流（1us脈沖）
|
IFP
|
1
|
A
|
|
反向電壓
|
VR
|
6
|
V
|
|
功率消耗/功率降幅
|
Pd
|
70
|
mW
|
|
2.9
|
mW/℃
|
|
輸出端
|
功率消耗/功率降幅
|
Pc
|
150
|
mW
|
|
3.7
|
mW/℃
|
|
集電極電流
|
Ic
|
50
|
mA
|
|
集電極-發射極電壓
|
Vceo
|
80
|
V
|
|
發射極-集電極電壓
|
Veco
|
7
|
V
|
|
總的功率消耗
|
Ptot
|
200
|
mW
|
|
隔離電壓
|
Viso
|
3750
|
V
|
|
工作溫度
|
Topr
|
-55~100
|
℃
|
|
儲存溫度
|
Tstg
|
-55~125
|
℃
|
|
焊錫溫度
|
Tsol
|
260
|
℃
|
光耦EL357N-G輸入端特性
|
項目
|
符號
|
最小值
|
平均值
|
最大值
|
單位
|
條件
|
|
順向電壓
|
VF
|
---
|
1.2
|
1.4
|
V
|
IF=±20mA
|
|
反向電流
|
IR
|
---
|
--
|
10
|
uA
|
VR=4V
|
|
輸入端電容
|
Cin
|
---
|
30
|
250
|
pF
|
V = 0, f = 1kHz
|
光耦EL354N- VG輸出端特性
|
項目
|
符號
|
最小值
|
平均值
|
最大值
|
單位
|
條件
|
|
集電極與發射極暗電流
|
Iceo
|
---
|
---
|
100
|
nA
|
VCE = 20V, IF = 0mA
|
|
集電極-發射極擊穿電壓
|
BVceo
|
80
|
--
|
---
|
V
|
IC = 0.1mA
|
|
發射極-集電極擊穿電壓
|
BVeco
|
7
|
---
|
---
|
V
|
IE = 0.01mA
|
光耦EL357N-G基本的轉換特性
|
品名型號
|
圖標符號
|
最小值
|
平均值
|
最大值
|
單位
|
測試條件
|
|
按CTR分
|
EL357N
|
CTR
|
60
|
---
|
600
|
%
|
IF=5mA,Vce=5V
|
|
EL357NA
|
80
|
|
160
|
|
EL357NB
|
130
|
|
260
|
|
EL357NC
|
200
|
|
400
|
|
EL357ND
|
300
|
|
600
|
|
EL357NE
|
100
|
|
200
|
|
EL817NF
|
150
|
---
|
300
|
|
集電極發射極飽和電壓
|
Vce(sat)
|
---
|
0.1
|
0.2
|
V
|
IF = ±20mA ,IC = 1mA
|
|
隔離阻值
|
Rio
|
5×1010
|
1011
|
---
|
Ω
|
VIO = 500Vdc,40~60% R.H.
|
|
浮動電容
|
Cio
|
---
|
0.6
|
1.0
|
pF
|
VIO = 0, f = 1MHz
|
|
上升時間
|
tr
|
---
|
3
|
18
|
us
|
VCE = 2V, IC = 2mA,RL = 100Ω
|
|
下降時間
|
tf
|
---
|
4
|
18
|
us
|
安規認證通過：UL(No.E214129)；VDE(No.132249)；CSA(No.1408633)；SEMKO(No.716108)；FIMKO(No.FI22807)；NEMKO(No.P06206474)；DEMKO(No.313924)