紅外發光二極管/發射二極管/850nm發射管 額定工作范圍（以HIR333C-A為例說明）
|
項目
|
符號
|
范圍
|
單位
|
|
持續的正向電流
|
IF
|
50
|
mA
|
|
峰值電流（脈沖頻寬≤100us,沖擊≤1%）
|
IFP
|
1.0
|
A
|
|
反向電壓
|
VR
|
5
|
V
|
|
工作溫度
|
Ta
|
-25~+85
|
℃
|
|
儲存溫度
|
Ts
|
-40~+100
|
℃
|
|
焊錫溫度（焊錫點在膠體以下4mm外，≤5秒）
|
Tsol
|
260
|
℃
|
|
消耗功率（常溫25℃以內）
|
Pd
|
100
|
mW
|
紅外發光二極管/發射二極管/850nm發射管 電子特性（以HIR333C-A為例說明）
|
項目
|
符號
|
最小值
|
平均值
|
最大值
|
單位
|
測試條件
|
|
發射強度
|
Ie
|
7.8
|
15
|
---
|
mW/sr
|
IF=20mA(IF：順向電流)
|
|
---
|
140
|
---
|
IF=100mA,tp=100_s, tP/T=0.01
|
|
---
|
980
|
---
|
IF=1A,tp=100_s, tP/T=0.01
|
|
峰值波長
|
λp
|
---
|
850
|
---
|
nm
|
IF=20mA
|
|
波長寬度
|
?λ
|
---
|
45
|
---
|
nm
|
IF=20mA
|
|
順向電壓
|
VF
|
---
|
1.2
|
1.5
|
V
|
IF=20mA
|
|
---
|
1.8
|
2.4
|
IF=100mA,tp=100_s, tP/T=0.01
|
|
---
|
4.1
|
5.25
|
IF=1A,tp=100_s, tP/T=0.01
|
|
反向漏電電流
|
IR
|
---
|
---
|
10
|
uA
|
VR=5V(VR：反向電壓)
|
|
發射角度
|
2θ1/2
|
---
|
17
|
---
|
Deg.
|
IF=20mA
|
紅外發光二極管/發射二極管/850nm發射管 發射強度等級（以HIR333C-A為例說明）IF20mA，單位mW/sr
|
等級代碼
|
M
|
N
|
P
|
Q
|
R
|
|
最小值
|
7.8
|
11.0
|
15
|
21
|
30
|
|
最大值
|
12.5
|
17.6
|
24
|
34
|
48
|
HIR333C-A插件式紅外發射管是EVERLIGHT一款高輻射強度850nm峰值波長的紅外發射二極管，采用GaAlAs材質的發光芯片與黃色透明環氧樹脂封裝，2.54mm極性腳距，高輻射強度（高發射功率）與低順向電壓，具有高可靠性，其設計用于與光敏三極管、光電二極管、紅外接收頭等搭配使用，產品符合無鉛制程與環保RoHS要求。HIR系列插件式紅外發射二極管市場應用相當廣泛，包含影像感測、體感/移動偵測、光遮斷感測、光電開關、接近開關、光盤驅動、紅外感測、數碼相機、空間信號傳送裝置、位置感測、生物辨識、脈搏血氧偵測等