EL817光耦一般用于開關電路
光電耦合組件是以光作為媒介來傳輸信號的一種組件，主要功能是讓輸入及輸出電路之間，可以通過隔離的方式傳送電信號，光電耦合組件(英語：Optical coupler，或英語：Photocoupler)，亦稱光耦合器、光隔離器以及光電隔離器，簡稱光耦。在兩個不共地的電路之間傳送信號，即使兩電路之間有高壓也不會互相影響，提高其抗干擾能力和可靠度及穩定性，可用于開關設備，或用在兩個需要隔離裝置之間的數據傳輸。
1. 光耦EL817電氣特性
1.1 電流傳輸比(Current Transfer Ratio , CTR)
電流傳輸比(CTR)的定義為輸出電流和輸入電流的比值Ic/If的百分比，主要用來評估負載電阻值的選用，量測方式如圖 1 所示。
1.2 電壓準位
在數字邏輯中，可以用 0 或 1 來表示所有的訊號，????H和?????? 在提供接收端 1 和 0 的電壓值，??IH和??IL 則在限制接收端判斷 1 和 0 的下限和上限電壓值，如圖 2 所示。
1.3 飽和電壓VCE(set)
一般光耦的輸出級為 Photo transistor，作為開關應用時，必須設計在飽和或截止區工作，當進入飽和區后，??CE 兩端的電壓稱為飽和電壓(??CE(set) )，如圖 3 所示，在規格書中可以找到(??CE(set)) )測試參數
2.光耦EL817輸入端控制方式
2.1 GPIO(General-purpose input/output)控制
如圖４所示，以 GPIO 控制輸入端，GPIO 和 Vin 需為相同電壓才能關閉。計算公式如下。
??F = (?????? −??F )/ ??????; ?????? = (?????? −??F )/ IF
2.2 晶體管(BJT, bipolar junction transistor)驅動
如圖５所示，以 GPIO 控制 NPN 晶體管開啟或關閉，晶體管為電流控制組件，因此需要串接 RB 電阻控制IB 電流，以確保晶體管在截止和飽和區工作，計算公式如下。
?? F = (?????? −??F −??CE )/?????? ; ?????? = (?????? −??F −??CE)/ IF
2.3 MOSFET(metal–oxide–semiconductor field-effect transistor)驅動
如圖６所示，以 GPIO 控制 N-MOS 開啟或關閉，MOSFET 為電壓控制組件，一般會使用兩電阻分壓RG/(R1+RG)來控制 VGS 電壓，當 VGS>Vth 時，即可開啟 N-MOS，當達到(VDS>VGS-Vth)條件時，則會進入飽和區，以達到飽和開關功能，計算公式如下。
??F = (?????? −??F−??D?? ) /??????; ?????? = (?????? −??F −??D?? )/IF
3.如何有效的設計EL817控制電路
一般光耦選型時，其基本電性最重要的是 CTR，它影響著實際量產時可能會產生的誤差，圖 7 為 EL817 的分 bin 表，此 CTR 的 Min.和 Max.范圍是以 IF=5mA、VCE=5V 條件下測得，當實際電路所采用的條件不同時，其 CTR 范圍也會跟著變動，因此應先行評估在產品應用時的實際 CTR 范圍。
如圖８左圖所示，此 IF 電流設計大約 2mA，選擇 EL817C 作為隔離組件，其 CTR 范圍為200~400%，可利用圖８右圖的 CTR 曲線來評估 IF≒2mA 以及溫度上升至 80℃時，電路是否還正常工作。
EL817C 在 IF=5mA 時，CTR%=200~400%，當 IF 下降至 2mA 時，其 CTR%=(200~400%)*0.75=150~300%，在 80℃時 CTR%＝(200~400%)*0.48=96%~192%。下面依照所計算后的CTR%，計算出適合的 RL 值。
當 IF=2mA, Ta=25℃時，Ic=2mＡ*(150~300%)=3~6mＡ，取最小值 3mA, RL=(5-0.2)/3=1.6KΩ。
當 IF=2mA, Ta=80℃時，Ic=2mA*(96~192%)=1.92~3.84mA，取最小值 1.92mA, RL=(5-0.2)/1.92=2.5KΩ。
計算出來的 RL 值，建議再乘上 1.5 倍左右，以延長光耦光衰后的使用壽命。
如圖 9 所示，取一顆 CTR=192% @IF=5mA 規格的樣品做實際測試，調整可變電阻(VR)將電流調整至 IF=2mA; Baud rate=4800bps; RL=1K, 2.2K, 3.3KΩ，觀察輸出波形。如圖 10所示，當 RL=1KΩ時，Vce 電壓約 2.5V，一般常見的邏輯０電壓在 0.8V 以下，因此無法滿足邏輯０的電壓要求，當 RL=2.2K 和 3.3KΩ時，Vce 電壓已小于 0.8V，雖然此兩個電阻都適用，但此測試環境是在 Ta=25℃進行，如溫度上升時，將使得 RL=2.2kΩ的電路因 CTR 下降而使得 Vce 電壓上升，因此在設計初期應將 CTR 下限和溫度以及壽命衰減一并考慮進去，以避免在大量生產或消費者使用一段時間后才發現異常。